所謂全SiC功率模組

從本文開始進入新的一章。繼SiC概要SiC-SBD(蕭特基二極體),SiC-MOSFET之後,來介紹一下完全由SiC功率元件組成的“全SiC功率模組”。本文作為第一篇,想讓大家瞭解全SiC功率模組具體是什麼樣的產品,都有哪些機型。之後計畫依次介紹其特點、性能、應用案例和使用方法。

何謂全SiC功率模組

ROHMROHM罗门哈斯在全球率先實現了搭載罗姆生產的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC功率模組”量產。與傳統的Si-IGBT功率模組相比,“全SiC”功率模組可高速開關並可大幅降低損耗。關於這一點,根據這之前介紹過的SiC-SBD和SiC-MOSFET的特點與性能,可以很容易理解。

目前,ROHMROHM罗姆正在量產的全SiC功率模組是二合一型模組,包括半橋型和升壓斬波型兩種。

另外產品系列中還有搭載NTC熱感應電阻的產品類型。

以下整理了現有機型產品系列和主要規格。1200 V耐壓80 ~ 600的產品種類齊全,400和600的兩種機型近期剛剛研發出來。產品系列擁有覆蓋IGBT模組市場主要額定電流100 ~ 600的豐富產品。

※還、有規格尚未確定的機型,需要詳細資訊請點擊這裡。

進步明顯的全SiC功率模組

最新的全SiC功率模組採用最新的SiC-MOSFET——(即第三代溝槽結構SiC-MOSFET),以進一步降低損耗。以下為示例。

下一次計畫詳細介紹全SiC功率模組的特點和優勢。