关键词：碳化硅SBD

本文汇总了碳化硅的物理特性的，SiC SBD（萧特基二极体）的，SiC MOSFET，全的SiC功率模组的关键要点作为最后的总结篇。<前言>▶前言关键要点·碳化硅功率元件是能够降低...

作为应用全碳化硅模组的应用要点，本文将在上一篇文章中提到的缓冲（缓冲器）电容基础上，介绍使用专用闸极驱动器对开关特性的改善情况。全碳化硅模组的驱动模式与基本结构这里会针对下述条件与电路结构...

本文将介绍使用了全碳化硅模组的设计和评估支援工具。全碳化硅模组损耗模拟器ROROHMROHMHM免费提供可用来探讨和选用全碳化硅模组的损耗模拟器。仅需选择全碳化硅模组并设定输入条件，就可以对模组内部的电晶体和二极...

本文将介绍全碳化硅模组的应用要点。 - 缓冲电容在高速开关大电流的电路中，需要添加缓冲电容什么是缓冲电容缓冲电容是为了降低电气布线的寄生电感而连接在大电流开关节点的电容。寄生电感会使...

本文是硅功率元件基础篇的最后一篇。之前针对整流二极体，萧特基二极体，快速恢复二极体，MOSFET，超级结MOSFET，普雷斯托MOS管，MOS混合硅等功率元件...

上一篇文章对全碳化硅模组闸极驱动的评估事项之一“闸极误导通”进行了介绍。本文将作为“其2”介绍闸极误导通的处理方法。“闸极误导通”的抑制方法闸极误导通的对策方法有三种。①是透过将Vgs的降至负电...

上一篇文章中介绍了在LED照明电路中提升效率并降低杂讯的案例，本文将介绍在空调中的案例。近年来，随着表示全年能效比的APF（季节性能系数）在业界中引入实施，提高空...

从本文开始将探讨如何充分发挥全的SiC功率模组的优异性能。此次作为闸极驱动的“其1”介绍闸极驱动的评估事项，在下次“其2”中介绍处理方法。闸极驱动的评估事项：闸极误导通首先需要了解的是：接下来要介绍...

继上一篇临界模式PFC的例子之后，本文将探讨电流连续模式PFC的二极体特性差异带来的效率差异。利用二极体改善电流连续模式PFC电路效率示例这是以前介绍PFC时用过的简化的PFC电路示例。下面来探讨...

全的SiC功率模组与现有的功率模组相比具有碳化硅与生俱来的优异性能。本文将对切换损耗进行介绍，切换损耗也可以说是传统功率模组所要解决的重大课题。全的SiC功率模组的切换损耗全碳化硅功率模组与现有的IG ...