同步整流降压仪器的传导损耗

在上一篇文章中，我们了解了解了同步整流整流降压转​​换损耗发发位置，并介绍了转换器繁体的损耗各部位的损耗之和。本文介绍功率开关 - 输出端mosfet的传导传导。

输出端mosfet的传导损耗

输出端mosfet的传导损耗是高度和低侧mosfet通通时的普通电脑电脑（r_DS（开））带来的，也称为“普通损耗”。在这里，在这里使用以下牌来来。

 PONH：高側MOSFET導通時的導通電阻帶來的傳導損耗
 PONL：低側MOSFET導通時的導通電阻帶來的傳導損耗

普通电脑是表示MOSFET特价的重要码之一，并且MOSFET一流地在普通电脑。因此显而易见，具有电视的繁体中间有电视过，而而分别会产生。

下载来求MOSFET的传导传导。下载电视图中的IONH（红色）表示高度MOSFET普通时的电脑.IONL（蓝色）为低侧MOSFET通通时的电影。上图中的LX是开关的电影波形，ionh和ionl是伴随着开关的，IL是电影电阻，这是一个个标准型。

在同步整流中，高层开关普通时低侧开感委员会关键词，低侧通通时高层会关节。开关〖红色的红色分支〗流过ionh，蓝色蓝色分表示流流ionl。也就是说，这晚期流mosfet的电影和mosfet的普通电脑出来的功率损耗成为各以功率成传导传导。

可以，我是结果，我²，r乘以导通期间后的值。电视流使用了平等电阻io。

顺便提一下，在体内整流（非同步整流）的情况下，同步整流的低侧mosfet仅成血型，可口用来的。繁体中没有“普通电脑”这个。参数，因此根据正向电阻VF计算。在这里的，我可以，我来说，我来了。户外，当开关为双双子电录体时，也可按照和繁体相同的思路根据v_ce来计算。

在实际的计算中间的是：普通电脑的值根据io值中的普通电脑来计算。一切情况下在MOSFET的技术中标书中会给出导通电阻r_DS（开）和我_DS.的驾驶图，可以是利用这些资料。体内的VF和双双子电录体的V._ce也也可以使用科技书中的规。

下一篇文章中将开关。