所谓MOSFET-寄生电容及其温度特性

继前次硅电晶体的分类和特徴，基本特性之后，接着我想追加说明目前被广泛用来作为功率切换的的Si-MOSFET的特性。

MOSFET的寄生電容

MOSFET在构造上存在有下图般寄生的静电容量。下图虽然以N沟道MOSFET为例，不过就算是P沟道，其思考方式亦同。这里的话题，也就是处理大电力的功率MOSFET必须取得使用频率或切换速度来作为想要限制的参数。

MOSFET的閘極﹙门﹚,汲極﹙流失﹚,源極﹙源﹚以閘極氧化膜絕緣,而且汲極——源極間透過基板(身体/衬底)形成PN接面,使寄生(身体)二極體存在。

下图的闸极 - 源极间电容Cgs的及闸极 - 汲极间电容的Cgd取决于闸极氧化膜的静电容量，而汲极 - 源极间电容CDS则为寄生二极体的接面电容。

表中的西塞，科斯，CRSS三项参数与这些寄生电容（寄生电容）有关，一般常见于MOSFET数据表中，且在静态特性和动态特性分开记载的数据表中被分类为动态特性，是影响切换特性的重要参数。

西塞是输入功率电容，是闸极 - 源极间电容Cgs的和闸极 - 汲极间电容Cgd的合计的电容，而且是从输入功率方来看的MOSFET全体电容由于使MOSFET动作必须驱动（充电充电）此电容，因此西塞是讨论输入功率元件驱动能力或损失时的参数。而驱动（电荷充电）西塞所需要的电荷量则是的Qg。

科斯是输出功率电容，是汲极 - 源极间电容CDS和闸极 - 汲极间电容Cgs的合计的电容，而且是输出功率侧的全体电容当科斯大时，即使闸极为OFF，起因于科斯的电流也会流向输出功率，而在输出功率完全关闭之前需要一段时间。

CRSS是闸极 - 汲极间电容Cgd的，被称为反馈电容（反馈电容）或反向转移电容（反向传输电容）当CRSS大时，即使闸极为ON，汲极电流的增层（建设 -向上）也慢，OFF时增层（增层）将变慢。总之，是对切换速度有极大影响的参数。而驱动（电荷充电）的CRS所必要的电荷量就是的Qgd。

此外，这些电容对汲极 - 源极间电压VDS具有依附性如图形所示，当VDS加大时，电容値有变小的倾向。

MOSFET寄生电容的温度特性

西塞，科斯，CRSS对温度几乎不会产生变化，因此切换特性可以说几乎不受温度变化的影响。以下为实测例。

此次说明了MOSFET动态特性之一的寄生电容，接下来预定谈论切换相关话题。