功率電晶體的結構與特長比較

繼前篇內容,繼續進行各功率電晶體的比較。本篇比較結構和特長。

功率電晶體的結構與特長比較

下圖是各功率電晶體的結構,耐壓,導通電阻,開關速度的比較。

使用的製程技術不同結構也不同,因而電氣特長也不同。補充說明一下,DMOS结构是平面型的MOSFET,是常見的結構.Si的功率MOSFET,因其高耐壓且可降低導通電阻,近年來超接合面(超结)結構的MOSFET(以下簡稱SJ-MOSFET)應用越來越廣泛。關於SiC-MOSFET,這裡給出了DMOS结构結構,不過目前罗姆已經開始量產特性ROHMROHM更優異的溝槽式結構的SiC-MOSFET。具體情況計畫後續進行介紹。

在特長方面,Si-DMOS存在導通電阻方面的課題,如前所述通過採用SJ-MOSFET結構來改善導通電阻.IGBT在導通電阻和耐壓方面表現優異,但存在開關速度方面的課題.SiC-DMOS在耐壓,導通電阻,開關速度方面表現都很優異,而且在高溫條件下的工作也表現良好,可以說是具有極大優勢的開關元件。

從下一篇開始,將單獨介紹與SiC-MOSFET的比較。