前言

从本文开始，我们将进入的SiC功率元件基础知识应用篇的第一弹“的SiC MOSFET：桥式结构中闸极 - 源极间电压的动作”。

前言

MOSFET和IGBT等电源切换元件被广泛应用于各种电源应用和电源线路中。另外，所使用的电路方式也多种多样，除单独使用外，还有串联连接，并联连接等多种使用方法。

其中,在將切換元件上下串聯連接的橋式結構中,通常交替地導通與關斷各個元件。下面是常規的橋式結構同步方式提升電路,波形圖是根據閘極訊號交替地導通/關斷的低側(LS) MOSFET和高側(HS) MOSFET的汲極——源極間電壓(V_DS）和汲极电流（I_d）范例。

透过切换工作，流过各元件的电流和变化的电压以复杂的方式相互影响。尤其是在处理高电压高电流的电路中，受安装电路板和结线引起的寄生分量等影响，产生电压和电流的动作，并因此导致工作不稳定，效率下降，从而可能导致损耗增加，产生异常发热等问题。

近年来，碳化硅MOSFET等高性能功率元件的应用，使得透过高速切换转换大功率成为可能，但在操作过程中，需要对切换工作有深入的了解。在该系列文章中，我们将着眼于MOSFET桥式结构中的各MOSFET的闸极 - 源极间电压的动作，以简单的同步方式升压电路为例，对以下内容进行探讨：

※计画可能会有变更。