探討高輸出電流應用時的注意事項其2

上一篇文章中,介紹了在探討輸出電流較大的應用時應該注意的兩個注意事項中的第一項。關鍵要點是要想提高輸出電流,需要使用導通電阻低的MOSFET,提高切換速度,並選用DCR低的電感。本文將介紹注意事項中的第二項。

探討高輸出電流應用時的注意事項其2

下圖表示路上和損耗之間的關係。當路上增加時,閘極電荷損耗也會隨之增加。

對策

作為對應這種損耗增加問題的對策,可探討使用輸出電流增加時所需的低導通電阻的MOSFET,且路上低的MOSFET。實際上存在導通電阻低且路上足夠低的MOSFET,這是可以避免的問題。

需要注意的是,路上低的MOSFET可能會具有急遽的切換上升/下降,這可能會導致切換雜訊變大。雖然這種對策具有提高切換速度,降低切換損耗的優點,但需要充分評估EMI問題,也需要考慮PCB設計。

總結

由於探討高輸出電流應用時的注意事項是分兩篇文章進行介紹的,因此在此作一下總結。

在探討輸出電流大的應用時,需要使用導通電阻低的MOSFET,提高切換速度,並選擇DCR低的電感。

關於MOSFET,需要選擇導通電阻低,路上低的產品。在這種情況下,切換速度往往會提高,因此需要確認切換雜訊是否有增加。