所謂二極體——蕭特基二極體的特徵

接着进入硅二极体的第2回合，要说明的是萧基特二极体（以下SBD）的特征及应用程式。

Si-SBD的特徴

上次已经说明下，Si-SBD并非PN接面，而是利用矽与所谓阻障金属层（阻挡金属）之金属接合（萧基特接面）形成萧基特障壁的二极体.Si-SBD的特性取决于阻障金属层（阻挡金属）的种类。而且，其特性的差异决定应用程式的合不合适。下表汇整了各阻障金属层（阻挡金属）的特徴及适合的应用程式。表中有「×」记号者，表示比其他差，不适合。

代表性的阻障金屬層有鈦,鈤,白金。

使用鈦﹙钛﹚的作为特徵是VF非常低,但反向的漏電流红外則比其他大。因此,並不適合發熱變大,周圍變高溫的條件。待會兒會加以説明,容易有發生熱失控﹙热失控﹚的傾向。應用程式方面,因VF小,故導通損失少,電壓下降也小,適合使用於電池驅動電路。

使用鈤﹙钼﹚的作为為VF和红外的平衡型,常用於DC / DC轉換型電路。

使用白金﹙铂﹚的作为由於红外非常小,發熱也少,故適合高溫下使用。此點在應用於車載機器上佔有優勢。

其他二极体意指通用的PN接面整流二极体，IR的值小，几乎所有情况皆可忽视。反之下，Si-SBD的IR无法忽视，这是使用的Si-SBD上的重点。

接著,下圖具體顯示上表中有○或△記號的各作为特性。以鈦為例,可以看出雖然VF非常低,不過红外大。

Si-SBD的熱失控

接著說明使用Si-SBD時將成為重要討論事項的熱失控。熱失控﹙热失控﹚是一種因發熱而使二極體Tj超過最大額定,最糟將導致破壞的現象。如前所述,Si-SBD的红外損失無法忽視。發熱是红外和VR(反向電壓)的積,也就是漏電流的反向電力損失乘以熱阻抗。這與普通的熱計算相同,因此對IR大的鈦作为來說最為不利。此外,红外若VR變高時有増加傾向,溫度上升時則具有増加的正溫度特性(參照上次説明）。自我发热（或周围温度上升）将使TJ上升IR増加，更进一步发热后则将产生IR増加等失控状态。当然，条件是发热量必须大于散热量。

要防止熱失控,需要即使任何條件導致發熱皆可以散熱的完整熱設計。以下是熱失控相關要點。

• 红外發熱所產生的熱失控將導致二極體的破壊
• 需要“發熱量<散熱量”的完整熱計算,散熱設計
• Tj不得超過Tj马克斯:Tj = Ta +發熱
• 發熱=熱阻抗(θja)×電流(IR)×電壓(VR)
• 散热取决于包，实装基板，周围环境，故有验证必要

VF和红外的應用程式圖

最後提供適合二極體特性的應用程式圖,希望可以作為設計的参考。