何谓的SiC-MOSFET碳化硅-MOSFET的应用实例

本章将介绍部分的SiC-MOSFET的应用实例。其中也包括一些以前的资讯和原型级别的内容，总之希望通过这些介绍能说明大家认识采用的SiC-MOSFET的好处以及可实现的新功能。另外，除了碳化硅-MOSFET，还可以从這裡瞭解SiC-SBD,全SiC模組的應用實例。

的SiC-MOSFET应用实例1：相移的DC / DC转换器

下面是展示机，是与功率动力辅助科技有限公司联合制作的。

全橋式變流器部分使用了3種電晶體(Si IGBT,第二代SiC-MOSFET,上一章介绍的第三代沟槽结构的SiC-MOSFET），组成相同尺寸的相移DCDC转换器，就是用来比较各产品效率的展示机。

首先，在SiC基MOSFET的组成中，发挥了开关性能的优势实现了硅IGBT很难实现的100kHz的高频工作和功率提升。另外，第二代（2G）的SiC-MOSFET中，由2个电晶体并联组成了1个开关，但由于第三代（3G）的SiC-MOSFET导通电阻更低，电晶体数得以从8个减少到4个。关于效率，采用第三代（3G）的SiC-MOSFET时的结果最理想，无论哪种的SiC-MOSFET的效率均超过硅IGBT。

的SiC-MOSFET应用实例2：脉冲电源

脉冲电源是在短时间内暂态供电的系统，应用例有气体雷射器，加速器，X射线，电浆电源等。作为现有的解决方案有闸流管等真空管和硅开关，但市场需要更高耐压更高速的开关。针对这种市场需求，利用碳化硅的高耐压和高速性能，实现了超高电压高速开关。从高速性的角度看这是硅IGBT很难实现的。下例是与福岛碳化硅应用技研株式会社，株式会社京都中子，国立研究研发法人科学技术振兴机构合作研发，在CEATEC 2014，TECHNO-FRONTIER2015展出的产品。

·超高压脉冲电源

·1〜10kV的随机脉冲产生器：13.2kV的SiC开关