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2019年7月24日DC / DC

同步整流降压转​​换器的开关损耗

损耗探讨

上一篇文章中探讨了同步整流降压转​​换器的功率开关 - 输出端MOSFET的传导损耗本文将探讨开关节点产生的开关损耗。

20170912_graf_10

  • PONH:高側MOSFET導通時的導通電阻帶來的傳導損耗
  • PONL:低侧MOSFET导通时的导通电阻带来的传导损耗
  • PSWH:开关损耗
  • Pdead_time:死区时间损耗
  • PIC:IC自身功率损耗
  • PGATE:闸极电荷损耗
  • PCOIL:电感的DCR带来的传导损耗

开关损耗

顾名思义,开关损耗就是开关工作相关的损耗。在这里使用PSWH这个符号来表示。

简单地说,同步整流降压转​​换器的同步开关(高侧+低侧)是对V和接地電壓進行開關(开/关),該暫態時間的功率乘以開關頻率後的值即開關損耗。請參考下列波形圖的LX。順便提一下,完全打开或关闭期間的損耗是此前的文章中介紹過的傳導損耗。

PSWH可通过下列公式计算出来。

20170912_graf_11

以上升和下降时间为底边,以V为高度的三角形部分的功率是损耗功率。上升/下降越快,暂态时间的损耗越少,但由于存在开关频率的因素,要想降低开关损耗,必须考虑到开关的暂态时间和开关频率这两种因素。

下一篇文章将介绍死区时间的损耗。

重点:

·同步整流降压转​​换器的开关损耗可通过开关的过渡时间及其期间的功率和开关频率来计算。

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