損耗的簡單計算方法

上一篇文章介绍了电源集成电路整体损耗的计算方法，即求出各部份的损耗并将这些损耗相加的方法。本文将在“简单”的前提下，介绍一种利用现有资料求出电源IC损耗的方法。

損耗的簡單計算方法

在很多情況下，電源IC的技術規格書中給出的是在標準的應用電路中測試得到的效率曲線圖（效率 vs 輸出電流）。如果所使用的電路條件與規格書中的效率曲線的條件相同或近似，則在自己設計的電路中也可能得到基本相同的效率曲線。利用這個效率曲線，可以簡單計算損耗。與上一次的计算范例相同，这里也以内建MOSFET的同步整流降压转​​换器为例进行计算。
首先，請看根據效率計算損耗的公式，這同時也是為了整理效率和損耗的關係。

首先，請看根據效率計算損耗的公式，這同時也是為了整理效率和損耗的關係。

这里計算出的損耗是電路的損耗（效率也一樣），因此，與上一次的计算范例相同，需要減去外接輸出電感的DCR帶來的傳導損耗（PCOIL）。關於電感的損耗，請參考这里。

如上所述，可以根據效率曲線大致算出損耗。前面提到要減去外接電感的損耗，但更準確一點講，估算值中包含其他外接零件和PCB的薄膜佈線等的損耗。然而，由於電源IC本身的損耗比這個值小（通常只是很小的值），因此用於估算值的量並沒有什麼問題。

功率电晶体为外接的情况下，可以用相同的思路估算，但一般需要另行求出功率电晶体的损耗，因此所花的时间也可能与单独计算差不多。

最後，計算值的小數原則上要向上舍入，而非向下舍入。至於使用到小數點後幾位元數，可根據整體的功率來判斷有效（有影響）的位數。這是為了將誤差控制在安全範圍，需要注意的是損耗和發熱等負面因素。當然，在進行可否判斷時需要考慮到餘量而非界限值。