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2020.02.05 AC / DC
本文將對電源集成电路BD7682FJ的外接MOSFET的切換調整零件和調整方法進行介紹。
MOSFET閘極驅動調整電路:R16, R17, R18 D17
為了最佳化外接场效应晶体管Q1的切換工作,由R16, R17, R18, D17組成一個調整電路,用來調節來自BD7682FJ的出引腳的閘極驅動訊號(參見電路圖)。這個電路會對MOSFET的損耗和雜訊產生影響,因此需要邊確認MOSFET的切換波形和損耗邊最佳化。
要想降低切換關斷時的切換損耗,需要減小R16,提高切換關斷速度。但這會產生急劇的電流變化,切換雜訊會變大。
切換損耗和雜訊之間存在這此起彼消(权衡)的制約關係。所以需要在裝入實際產品的狀態下測量MOSFET的溫度上升(=損耗)和雜訊情況,並確認溫度上升和雜訊水平在額定範圍內。請根據需要將上述常數作為起始線進行調整。
另外,由於R16中會流過脈衝電流,因此需要確認所用電阻的抗脈衝特性。
R18是MOSFET閘極的下拉電阻,請以10 kΩ~ 100 kΩ為大致標準。
・調整閘極驅動信號,並優化開關電晶體的損耗和雜訊。
・加快開關的上升/下降時間可減少損耗,但開關雜訊會變大。