所謂SiC-SBD——使用SiC-SBD的優勢

有关的SiC-SBD（碳化矽 - 萧特基二极体），先前其特性已经与硅矽二极体进行过比较，并已说明目前可以取得之产品，这次我们再一次汇整和回顾的SiC-SBD的优点。

的SiC-SBD下，Si-SBD，Si的PND的特征

的SiC-SBD系以金属接合半导体的SiC（萧特基接面）来产生萧特基障壁。构造基本上与硅的萧特基障壁二极体相同，只会有电子移动的电流产生。另一方面下，Si-PND则由P型矽层和ñ型矽层的接面构造所组成，藉由电子和电洞的流动来产生电流。

的SiC-SBD的TRR

在與Si-FRD做比較時已經說明了Si-SBD具有優越的trr特性,而且幾乎沒有溫度及電流相依性。

的SiC-SBD的顺向特性

的Si-SBD的顺向特性与Si的PND不同，这是因为性质或构造不同的缘故。尤其在温度特性方面下，Si-FRD虽然VF会随高温而降低使导通损耗减少，由于IF反而会増加，故有可能陷入热失控状态。

反之，碳化硅-SBD由于VF会随着高温而变高，因此不会发生热失控。不过，因VF会上升，故IFSM（顺向突波电流）将比的Si-FRD低。

此外,由於對溫度非常穩定,因此也可以因應車規等級,SiC-SBD在高压/ EV / PHV的車載充電電路中的效能已經獲得肯定。