EMI对策

前一篇文章介绍了主要零件的选型和常数计算的相关内容。本文将介绍降低EMI的对策。

近年来，EMC可谓是电子装置的重要课题之一。世界各国对EMC都有限制规定，在进行装置设计时必须满足相关要求。在此之前，可以说是因为存在当开关电源散布杂讯时将使装置的S / N降低，从而使装置无法满足规格要求的情况，因此必须采取杂讯对策。

另外，由于偶见混淆EMC和EMI等术语的情况，下面先整理一下这些术语。

·EMI（电磁干扰）：电磁干扰
  電波和高頻電磁波成為雜訊而影響電子裝置等，或是會造成影響的電磁波。
  －傳導雜訊：經由線纜和PCB板佈線傳導的雜訊
    > 差模（常模）雜訊：發生在電源線之間，且傳輸方向和電流相同的雜訊
    > 共模雜訊：透過金屬外殼等，通過雜散電容等，回到訊號源頭的雜訊
  －輻射雜訊：釋放到空氣中的雜訊

·EMS（电磁易感性）：电磁敏感性
  指即使受到電磁波的妨礙、干擾（EMI：傳導雜訊及輻射雜訊）也不會引起損壞的能力與耐受性。。

·EMC（电磁兼容性）：电磁相容性
  EMI＋EMS。輻射（Emission：排放，射極）對策和抗擾性（Immunity：耐受性）的相容及其對策。

EMI从路径来看，分成传导杂讯和辐射杂讯，传导杂讯根据传导方式，又可以再细分成差动模式杂讯和共模杂讯。

EMI对策

正如在上述术语解说中所述，EMI是会对其他电路造成影响的，因此，其对策的关键是防止产生杂讯。产生杂讯的主要原因是大电流开关的节点或线路。基本对策是增加起到电阻匹配和旁路/滤波作用的电容，电阻/电容电路。下面再次给出整体电路，一起来看一下对策要点。

·在输入端增加滤波器

输入电压是带有涟波的高电压，并通过内建MOSFET来高速ON / OFF，所以在输入端增加滤波器可降低杂讯。

·在内建MOSFET的汲极 - 源极间增加电容

即电路图中的C8。电容值需要47〜100pF的左右，耐压需要500V以上。这种做法可降低高速开关引起的OFF时的突波。另外也是一种缓冲方式。但是，会增加损耗，因此必须注意温度上升情况。

·给输出整流二极体D4增加RC缓冲电路

与D4并联增加C9：500V / 1000pF的，R10：10Ω/ 1W左右这种做法可降低ON / OFF时产生的尖峰电压，这与输入缓冲电路的思路相同由于常数只是参考值，所以必须先确认。实际杂讯后再加以调整。

这些是主要的杂讯对策。不论何种方式，都必须测量杂讯，或至少确认杂讯对装置造成的影响。准确测量杂讯需要具备测量环境和装置。无法定量测量杂讯值时，有时可以从装置的S / N等性能层面来掌握是否会造成影响以及影响的程度。

这里提到的对策，是属于电源电路结构上的杂讯对策。杂讯的产生也和PCB板布局，元件配置，元件性能等有关系。在某些情况下，可能需要将LC滤波器由简单的大号型升级为π型或Ť型，或在电路板上设定遮罩等。

此外，某些装置规格还必须符合杂讯标准（比如国际无线电干扰特别委员会（CISPR）颁布的标准等）。当需要满足某些标准要求时，是需要从设计阶段开始就必须谨记的，这一点是非常重要的。