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二零一九年十一月二十日DC / DC
此前计算了损耗发生部分的损耗，本文将介绍汇总这些损耗并作为电源IC的损耗进行计算的例子。
电源IC的功率损耗计算范例（内建MOSFET的同步整流型IC）
图中给出了从“电源IC的损耗”这个角度考虑时相关的部分。本次以输出段的MOSFET内建型IC为例进行说明。相关内容见图中蓝色所示部分。电感除外（因为电感是外接的）。如果计算此前的说明中使用的控制器型IC的损耗的话，是不包括MOSFET和电感损耗的。
要计算损耗时，需要有单独计算时公式各项相应的值。原则上使用技术规格书中给出的值。
一般情況下,技術規格書的標準值(即IC參數的值)中,包括最小值,標準值,最大值。有些參數只有最小值或最大值,或只有標準值,並非所有的參數都具備這三種值。
关于应该使用这些值的哪个值，可能会有不同的看法，但我认为应该考虑到值的变化/波动，计算最差条件下的损耗。
此次将使用右侧给出的值。这些均是以最差条件为前提的值。计算步骤是先按照每种损耗的公式计算各自的损耗，然后再将损耗结果相加。
①高侧MOSFET的传导损耗
②低侧MOSFET的传导损耗
③高侧MOSFET的切换损耗
④死区时间损耗
⑤IC控制电路的功率损耗
⑥閘極電荷損耗
电源IC的功率损耗总和
在本范例中，电源IC的功率损耗约为1W。只要用于计算的资料完整，功率损耗计算并不难。
·电源IC的功率损耗是单个损耗的总和。
·关于计算所用的值，虽然有很多种看法，但应该通过计算最差条件下的损耗进行确认。
