去耦電容的有效使用方法　其他注意事項

上一篇文章繼“去耦電容的有效使用方法”的要點1“使用多個去耦電容”之後，介紹了要點2“降低電容的ESL”。本文將介紹最後一個要點“其他注意事項”。

・要點1：使用多個去耦電容
・要點2：降低電容的ESL（等效串聯電感）
・其他注意事項

去耦電容的有效使用方法：其他注意事項

①Q較高的陶瓷電容

電容具有被稱為“Q”的特性。下圖即表示Q和頻率－電阻特性之間的關係。

當Q值高時，電阻在特定的窄帶會變得非常低。當Q值低時，電阻雖然不會極度下降，但可以在很寬的頻段內降低。這種特性可能有助於符合某些EMC標準。例如，使用電容量變化較大的電容時，如果Q值很高，則可能存在無法消除目標頻率雜訊的個體。在這種情況下，還有一種通過使用具有低Q的電容來抑制波動影響的手法。

③探討對策時的電容試裝

試製後需要對高頻雜訊採取對策，可以考慮增加小容量的電容。此時，如下圖所示，如果在大容量電容上安裝要增加的電容（左例），則縱向會增加額外的電感分量，因此不能充分發揮增加電容的效果。在中間的例子中，雖然未違背“盡可能使小容量電容靠近噪音源”的理論，但電阻會與實際修改的PCB佈局不同。最好的方法是以儘量接近實際修改的配置進行探討（右例）。

在探討對策時，也可能會發生雖然雜訊試驗OK，但安裝到修改後的PCB時NG的現象，因此需要在探討時就有意識地按照實際來安裝。

④電容的電容量變化率

雜訊對策用的電容的電容量變化率較大時，諧振頻率的波動會變大，目標消減頻段會產生變化或波動，有時很難找到理想的雜訊對策。尤其是需要在窄頻段大幅消除雜訊時，需要格外注意。下表表示電容量變化率和實際的電容量和諧振頻率之間的關係。仔細看這個表的話可以看出，雖然視條件而定，不過很多情況是無法接受的。

電容量變化率 （%）	電容量（pF）	諧振頻率（MHz）
+20	1,200	145
+10	1,100	152
+5	1,050	155
±0	1,000	159
-5	950	163
-10	900	168
-20	800	178

※ 按L=1nH計算

⑤電容的溫度特性

眾所眾知，電容的特性會受溫度影響。目前，EMC測試的溫度特性尚未標準化，但在某些應用中，不得不在明顯的高溫或低溫條件/環境下工作、或在會產生較大溫度變化的條件/環境下使用。

在這類情況下，非常有可能發生“④電容量變化率”中提到的問題，所以，用於雜訊對策的電容，需要儘量使用具有CH、C0G特性的溫度特性優異的產品。