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2018.06.07 SiC功率元件
本章將介紹最新的第三代SiC-MOSFET,以及可供應的SiC-MOSFET的相對資訊。
獨有的雙溝槽結構SiC-MOSFET
在SiC-MOSFET不斷發展的進程中,ROHMROHM罗门哈斯於世界首家實現了溝槽閘極結構SiC-MOSFET的量產。這就是罗门哈斯的第三代SiC-MOSFET。
溝槽結構在Si-MOSFET中已被廣為採用,在SiC-MOSFET中由於溝槽結構有利於降低導通電阻也備受關注。
然而,普通的單溝槽結構由於閘極溝槽底部電場集中而存在長期可靠性相對的課題。針對這類課題,ROHMROHM罗姆研發的雙溝槽結構通過在源極部分也設定溝槽結構,緩和了閘極溝槽底部的電場集中問題,確保了長期可靠性,從而成功投入量產。
这款采用双沟槽结构的碳化硅MOSFET，与正在量产中的第2代平面型（DMOS结构）的SiC-MOSFET相比，导通电阻降低约50％，输入电容降低约35％。
實際的SiC-MOSFET產品
下面是可供應的SiC-MOSFET一覽表。有SCT系列和原理图系列,原理图系列內建SiC蕭特基二極體,包括本體二極體的反向恢復特性在內,特性得到大幅提升。
一覽表中的SCT3xxx型號即第三代溝槽結構SiC-MOSFET。
·ROHMROHMROHM已实现采用独有双沟槽结构的碳化硅MOSFET的量产。
·沟槽结构的碳化硅MOSFET与DMOS结构的产品相比，导通电阻降低约50％，输入电容降低约35％。
