MOSFET規格相關的術語集gydF4y2Ba

之前介紹了MOSFET的特長和特性。不僅MOSFET的規格書,一般規格書(技術規格書)中都會記載電氣規格(规范),其中包括參數名稱和保證值等。對於MOSFET來說也有很多參數,在此前的文章中已經提到了一些參數,在這裡進行了匯總,作為一覽表列出。gydF4y2Ba

需要注意的是,參數名稱,術語以及符號可能因製造商不同而略有不同。另外,關於與條件設定相關的定義也存在一些差異。這些情況需要透過確認規格書中給出的測量條件等來理解具體的內容。gydF4y2Ba

●絕對最大額定值gydF4y2Ba

參數術語gydF4y2Ba	符號gydF4y2Ba	定義與說明gydF4y2Ba
汲極——源極間電壓gydF4y2Ba	VgydF4y2BaDSSgydF4y2Ba	在閘極——源極間短路的狀態下,能夠外加給汲極——源極間的最大電壓值。gydF4y2Ba
汲極電流(直流)gydF4y2Ba	我gydF4y2BaDgydF4y2Ba	在指定條件下,可以在汲極——源極間形成的通道中連續流過的最大直流電流值。gydF4y2Ba
汲極電流(脈衝)gydF4y2Ba	我gydF4y2BaDPgydF4y2Ba	在安全工作區所指定的脈衝寬度和占空比條件下,可以在汲極——源極間形成的通道中流過的最大脈衝電流值。gydF4y2Ba
閘極——源極間電壓gydF4y2Ba	VgydF4y2BaGSgydF4y2Ba	能夠外加給閘極——源極間的最大電壓值。gydF4y2Ba
雪崩電流(單次觸發)gydF4y2Ba	我gydF4y2Ba作为gydF4y2Ba	雪崩擊穿時額定的最大汲極電流值。gydF4y2Ba
雪崩能量(單次觸發)gydF4y2Ba	EgydF4y2Ba作为gydF4y2Ba	雪崩擊穿時額定的最大能量的值。gydF4y2Ba
額定損耗gydF4y2Ba	PgydF4y2BaDgydF4y2Ba	在指定條件下,MOSFET額定的最大功率損耗值。gydF4y2Ba
接合面溫度gydF4y2Ba	TgydF4y2BajgydF4y2Ba	元件工作時能夠額定的最大接合面溫度值。gydF4y2Ba
保存溫度gydF4y2Ba	TgydF4y2BastggydF4y2Ba	在元件無電氣負載的條件下保存或運輸所允許的溫度範圍。gydF4y2Ba

●熱阻gydF4y2Ba

參數術語gydF4y2Ba	符號gydF4y2Ba	定義與說明gydF4y2Ba
熱阻(結點——外殼間)gydF4y2Ba	RgydF4y2BathJCgydF4y2Ba	從元件的結點到外殼背面之間的熱阻值。gydF4y2Ba
熱阻(結點——空氣間)gydF4y2Ba	RgydF4y2BathJAgydF4y2Ba	從元件的結點到周圍環境之間的熱阻值。gydF4y2Ba
安裝溫度(波峰焊)gydF4y2Ba	TgydF4y2Ba出售gydF4y2Ba	安裝MOSFET時的最高焊料熔化溫度值。gydF4y2Ba

●電氣特性gydF4y2Ba

參數術語gydF4y2Ba	符號gydF4y2Ba	定義與說明gydF4y2Ba
汲極——源極擊穿電壓gydF4y2Ba	VgydF4y2Ba(BR) DSSgydF4y2Ba	在閘極——源極間短路的狀態下,寄生二極體引起擊穿,電流開始在汲極——源極間流動的電壓。gydF4y2Ba
汲極——源極擊穿電壓溫度係數gydF4y2Ba	⊿VgydF4y2Ba(BR) DSSgydF4y2Ba/⊿TgydF4y2BajgydF4y2Ba	汲極——源極間擊穿電壓的溫度係數。gydF4y2Ba
汲極關斷電流gydF4y2Ba	我gydF4y2BaDSSgydF4y2Ba	在指定條件下,在閘極——源極間短路的狀態下,汲極——源極間流過的洩漏電流。gydF4y2Ba
閘極漏電流gydF4y2Ba	我gydF4y2BaGSSgydF4y2Ba	在指定條件下,在汲極——源極間短路的狀態下,閘極——源極間流過的洩漏電流。gydF4y2Ba
閘極閾值電壓gydF4y2Ba	VgydF4y2BaGS (th)gydF4y2Ba	汲極電流開始在MOSFET中流動的閘極——源極間電壓。gydF4y2Ba
閘極閾值電壓溫度係數gydF4y2Ba	⊿VgydF4y2BaGS (th)gydF4y2Ba/⊿TgydF4y2BajgydF4y2Ba	閾值電壓的溫度係數。gydF4y2Ba
汲極——源極間導通電阻gydF4y2Ba	RgydF4y2BaDS(上)gydF4y2Ba	在MOSFET導通期間汲極——源極間的電阻值。gydF4y2Ba
閘極電阻gydF4y2Ba	RgydF4y2BaGgydF4y2Ba	MOSFET的內部閘極電阻值。gydF4y2Ba
正向傳輸導納gydF4y2Ba	| YgydF4y2BafsgydF4y2Ba|gydF4y2Ba	閘極——源極間電壓變化1 v時的汲極電流變化率。gydF4y2Ba
輸入電容gydF4y2Ba	CgydF4y2Ba国际空间站gydF4y2Ba	在使汲極——源極間交流短路的狀態下,在閘極——源極間測得的寄生電容值。gydF4y2Ba
輸出電容gydF4y2Ba	CgydF4y2BaossgydF4y2Ba	在使閘極——源極間交流短路的狀態下,在汲極——源極間測得的寄生電容值。gydF4y2Ba
回饋電容gydF4y2Ba	CgydF4y2BarssgydF4y2Ba	將源極引腳接地,在汲極——閘極間測得的寄生電容值。gydF4y2Ba
有效電容(能量換算)gydF4y2Ba	CgydF4y2Bao (er)gydF4y2Ba	汲極——源極間電壓VgydF4y2BaDSgydF4y2Ba從0 V上升到汲極——源極間電壓絕對最大額定值VgydF4y2BaDSgydF4y2Ba年代的80%期間積蓄的能量與CgydF4y2BaossgydF4y2Ba等效的固定電容值。gydF4y2Ba
有效電容(時間換算)gydF4y2Ba	CgydF4y2Bao (tr)gydF4y2Ba	汲極——源極間電壓VgydF4y2BaDSgydF4y2Ba從0 V上升到汲極——源極間電壓絕對最大額定值VgydF4y2BaDSgydF4y2Ba年代的80%期間的充電時間與CgydF4y2BaossgydF4y2Ba等效的固定電容值。gydF4y2Ba
導通延遲時間gydF4y2Ba	tgydF4y2Bad(上)gydF4y2Ba	閘極——源極間電壓上升到設定電壓後的10%,到汲極——源極間電壓下降到設定電壓的90%之間的時間。gydF4y2Ba
上升時間gydF4y2Ba	tgydF4y2BargydF4y2Ba	汲極——源極間電壓從設定電壓的90%下降到10%所需要的時間。gydF4y2Ba
關斷延遲時間gydF4y2Ba	tgydF4y2Bad(下)gydF4y2Ba	閘極——源極間電壓下降到設定電壓後的90%,到汲極——源極間電壓上升到設定電壓的10%之間的時間。gydF4y2Ba
下降時間gydF4y2Ba	tgydF4y2BafgydF4y2Ba	汲極——源極間電壓從設定電壓上的10%升到90%所需要的時間。gydF4y2Ba

●閘極電荷量特性gydF4y2Ba

參數術語gydF4y2Ba	符號gydF4y2Ba	定義與說明gydF4y2Ba
閘極總電荷量gydF4y2Ba	问gydF4y2BaggydF4y2Ba	使MOSFET的閘極電壓從0 v上升到指定電壓所需要的閘極電荷量。gydF4y2Ba
閘極——源極間電荷量gydF4y2Ba	问gydF4y2BagsgydF4y2Ba	使MOSFET的閘極電壓從0 v上升到閘極穩定電壓所需要的閘極——源極間電容中積蓄的電荷量。gydF4y2Ba
閘極——汲極間電荷量gydF4y2Ba	问gydF4y2BagdgydF4y2Ba	MOSFET的汲極——源極間電壓VgydF4y2BaDSgydF4y2Ba從電源電壓下降至導通電壓所需要的閘極——汲極間電容中積蓄的電荷量。gydF4y2Ba
閘極穩定電壓gydF4y2Ba	VgydF4y2Ba(高原)gydF4y2Ba	切換時,米勒電容開始充放電的閘極電壓值。gydF4y2Ba

●內部二極體特性gydF4y2Ba

參數術語gydF4y2Ba	符號gydF4y2Ba	定義與說明gydF4y2Ba
源極電流(直流)gydF4y2Ba	我gydF4y2Ba年代gydF4y2Ba	在指定條件下,可以在內部二極體中連續流過的最大直流電流值。gydF4y2Ba
源極電流(脈衝)gydF4y2Ba	我gydF4y2BaspgydF4y2Ba	可以在內部二極體中流過的最大脈衝電流值。gydF4y2Ba
正向電壓gydF4y2Ba	VgydF4y2BaSDgydF4y2Ba	正向電流流過內部二極體時的電壓降。gydF4y2Ba
反向恢復時間gydF4y2Ba	tgydF4y2BarrgydF4y2Ba	在指定的測量條件下,內部二極體的反向恢復電流消失所需要的時間。gydF4y2Ba
反向恢復電荷量gydF4y2Ba	问gydF4y2BarrgydF4y2Ba	在指定的測量條件下,內部二極體的反向恢復電流消失所需要的電荷量。gydF4y2Ba
反向恢復峰值電流gydF4y2Ba	我gydF4y2BarrmgydF4y2Ba	在指定的測量條件下,內部二極體反向恢復工作時的峰值電流值。gydF4y2Ba