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2020年4月22日AC / DC
本文中将确定本设计中使用的电源IC的VCC引脚相关的元件常数.VCC引脚是电源ICBD7682FJ的电源引脚。
BD7682FJ的内部控制电路透过外加于VCC引脚的电压来工作。大家都知道，如果这个电源电路的输入电压为300V〜900V的话，不仅不能直接工作，还有可能瞬间被破坏。因此，需要生成较低的DC电压供该IC电源之用.VCC的工作电压范围为15.0V〜27.5V，在“變壓器T1的設計 其2“中已经介绍过，计算变压器VCC线圈的Nd（也称为‘补助线圈’或‘第三线圈’）时，已经以VCC = 24V为前提计算出了钕。
右侧电路图为相应部分的摘录。在这里，我们来确定“VCC用电压生成（橙色框）”，“VCC线圈突波电压抑制（橙色框）”及“VCC启动（蓝色框）”相关电路的元件常数。
VCC电压生成用整流二极体D18及滤波用电容C5
透过电路图橙色框内的二极体D18和电容C5，将VCC线圈的Nd（电路图的第5-6线圈）产生的切换电压整流为DC电压并滤波。该电路与二极体整流型DC / DC转换器基本相同。（框内的电感L4实际上是不使用的，请忽略。另外，电阻Rvcc1是突波抑制电阻，后续会进行说明）
D18的耐压透过计算外加于D18的反向电压VDR来确定。
VCC（最大值）按31.5V.VCC引脚具有VCC OVP（过电压保护）功能，其最大值为31.5V，所以VCC电压即使上升到这个电压值，也不会超过D18的耐压。设Vf的为1V。VIN（max）為900V。根據“變壓器T1的設計 其2”中求得的結果，Nd為8匝，同樣，Np為64匝。
将这些值代入，
考虑到余量后，根据145V / 0.7≒200V，最终选择具有200V耐压的二极体.D18根据其目的需要选择适合高速切换的类型。此次ROHMROHM使用ROHM生成的快速恢复二极体RF05VAM2S。
电容C5选择22μF的铝电解电容比较合适，根据Vcc的（最大）耐压为35V。
VCC线圈用突波电压抑制电阻Rvcc1
受变压器的漏电感（Lleak）影响，当MOSFET从ON至OFF的瞬间，将产生大的突波电压（峰波杂讯）。这种突波电压是由VCC线圈所引起的，VCC电压上升可能会引发VCC引脚的VCC OVP动作。插入5〜22Ω左右的抑制电阻Rvcc1来降低这种突波电压。请在实际安装在产品中的状态下确认VCC电压的上升情况并调整电阻值。
VCC启动用电阻R11，R12，R13，R14，电容C6，二极体D19
对于VCC线圈的VCC电压来说，二次侧的输出是基础。（NS：Nd）的所以，在原理上，电路如果不开始切换工作，就不会产生VCC电压，故需要在启动时另行给IC外加VCC电压。启动用电阻（器Rstart）R11，R12，R13，R14与启动用电容（CSTART）C6一起启动IC。另外，还可以使用这种CR来调整启动时间。此外，对待机功耗也有影响。
启动用电阻器Rstart可透过以下公式所示的最小和最大条件求出。根据VIN_MIN取余量，VIN_start按180V。根据技术规格书，VCC欠压锁定（最大值）为20V，且待机时电路电流我关闭，即启动前的VCC最大电流为30μA，但需要确保余量，所以按40μA.VCCOVP（最大）在技术规格书中的规定是31.5V，保护电路动作时的VCC电流我ON1取最小值300μA。
器Rstart
器Rstart> VIN_MAX-VCC OVP（最大）/ ION1=（900V-31.5V）/300μA=2895kΩ
2895kΩ<器Rstart <4000kΩ
根据计算结果，器Rstart为2940kΩ（R11，R12各1MΩ，R13，R14各470KΩ）。
启动用电容（CSTART）C6由于还具有使VCC稳定的作用，所以推荐采用2.2μF以上的电容。再考虑到前述的启动时间，本次采用4.7μF的电容。图中显示了CSTART与VIN的启动时间的关系。
关于与导通电阻器Rstart之间的关系，如果将器Rstart的值设定的较小，则启动时间缩短，待机功耗增加。反之，如果将器Rstart的值调大，则启动时间延长，待机功耗变小。
当VIN接通时，C6被充电;当VCC引脚的电压达到启动电压时，IC开始工作其后，当输出电压超过恒定电压时，VCC生成电路工作且供给VCC电压二极体D19要避免给启动时的滤波用电容C5充电.D19使用反向电流IR很低的切换二极体1SS355VM（ROHMROHMROHM生产）。请参考这里的电路图（在该电路中，Rvcc1为22Ω）。
·IC的电源VCC由利用了二次侧输出的VCC绕组生成。
·启动时未发生二次侧输出，因此另行设置启动用电压供给电路。
·为了避免VCC OVP的误动作，需要用来抑制VCC绕组的浪涌电压的电阻。
